Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumssch...
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein neuartiges gemischtes High-k-Gate-Dielektrikum, d.h. zirkoniumdotiertes Tantaloxid (Zr-dotiertes TaOx) und Hafnium-dotiertes Tantaloxid (Hf-dotiertes TaOx), wurde für künftige MOSFET-Anwendungen eingehend untersucht. Abscheidung eines neuen High-k-Gate-Dielektrikums durch Mischung von Ta2O5 mit ZrO2 und HfO2 mittels Co-Sputtertechnik, um die Anforderungen an thermodynamische Stabilität, einen großen Bereich ...